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申请/专利权人：无锡博通微电子技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半桥GaN增强型开关器件及其制备方法。该半桥GaN增强型开关器件包括半桥连接的两个开关元件；两个开关元件水平设置在同一衬底上，其中一开关元件的漏极与栅极分别单独电性引出，源极与另一开关元件的漏极连接并共同电性引出，另一开关元件的栅极和源极分别单独电性引出。该半桥GaN增强型开关器件导电机制为二维电子气，由栅极控制二维电子气的导通和关断，所以器件的栅电荷非常小，能保证器件的高速开关，器件整体呈现半桥连接特性，保证应用灵活性的同时，由于器件制备在同一衬底上，具备高集成度的特点，可以提高系统功率密度。
主权项：1.一种半桥GaN增强型开关器件，其特征在于，所述半桥GaN增强型开关器件包括：半桥连接的两个开关元件；两个所述开关元件水平设置在同一衬底上，其中一开关元件的漏极与栅极分别单独电性引出，源极与另一开关元件的漏极连接并共同电性引出，另一开关元件的栅极和源极分别单独电性引出；其中，所述开关元件包括：纵向自下而上的本征金刚石衬底、GaN缓冲层、n型沟道层、本征GaN层、AlGaN、绝缘介质以及栅极金属；所述开关元件还包括：底部与所述本征GaN层底部水平设置的漏极金属；所述开关元件还包括：底部与所述AlGaN底部水平设置的源极金属；所述AlGaN和所述本征GaN层通过二维电子气形成从源极金属到n型沟道层的导电通道；所述栅极金属在施加正电压时，来自源极金属的电子由二维电子气传输至导电通道，沿着导电通道流动至所述n型沟道层，横向流动至所述栅极金属。
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百度查询： 无锡博通微电子技术有限公司 半桥GaN增强型开关器件及其制备方法
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