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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制备方法，第一半导体层包含依次沉积的隧穿氧化层与N型掺杂多晶硅层，隧穿氧化层与N型掺杂多晶硅层采用管式多晶硅沉积炉依次沉积并退火后形成，并在退火过程中形成掺碳氮氧化硅掩膜层；且在沉积过程中控制N型掺杂多晶硅层掺磷掺碳且其掺磷浓度和掺碳浓度在沿远离硅片方向上呈梯度增加；所述退火中通入氨气和氧气。本发明无需单独沉积掩膜层，而是在第一半导体层退火中同步形成掩膜层的工艺，且所需掩膜层的厚度较薄且第一半导体层致密性好，而保证第一半导体层在溶液中起到更好的抗腐蚀作用，提高钝化效果，从而提高电池转换效率；同时本发明可以简化工艺流程，减少设备投入。
主权项：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供双面抛光的硅片；S2、在硅片背面形成第一半导体层；第一半导体层包含依次沉积的隧穿氧化层与N型掺杂多晶硅层，隧穿氧化层与N型掺杂多晶硅层采用管式多晶硅沉积炉依次沉积并退火后形成，并在退火过程中形成掺碳氮氧化硅掩膜层；且在沉积过程中控制N型掺杂多晶硅层掺磷掺碳且其掺磷浓度和掺碳浓度在沿远离硅片方向上呈梯度增加；N型掺杂多晶硅层的掺磷浓度范围在0-5.5×1020cm-3，掺碳浓度范围在5.2×1017cm-3-5.4×1019cm-3；所述退火中通入氨气和氧气，控制掺碳氮氧化硅掩膜层的掺氧浓度为1×1018cm-3-5×1018cm-3，且掺碳氮氧化硅掩膜层的掺氧浓度、掺氮浓度与掺碳浓度的比例为1：（3.3-16）：（1.1-10.8），掺碳氮氧化硅掩膜层的厚度为20-50nm；S3、在S2所得背面进行第一次刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S4、然后进行制绒清洗，之后采用清洗溶液经过清洗去除硅片背面第二半导体开口区外的掺碳氮氧化硅掩膜层；S5、在S4所得背面沉积第二半导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种背接触电池及其制备方法
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