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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：本公开涉及一种能够改善传感器感度的传感器元件和电子设备。在半导体层中形成有接收预定波长范围内的光并执行光电转换的光电转换元件。在作为所述半导体层的光入射侧的光接收面上设置有抑制光反射的反射抑制部，并且在作为所述半导体层的所述光接收面相对侧的电路面上设置有抑制从所述光接收面入射的光透过所述半导体层的透过抑制部。本技术例如可以适用于背面照射型CMOS图像传感器。
主权项：1.一种传感器元件，包括：形成有光电转换元件的半导体层，所述光电转换元件接收预定波长范围内的光并执行光电转换；在作为所述半导体层的光入射侧的第一面上的反射抑制部，其抑制光反射；和在作为所述半导体层的第一面相对侧的第二面上的透过抑制部，其抑制从第一面入射的光透过所述半导体层，其中所述反射抑制部包括第一凹凸结构，第一凹凸结构通过在所述半导体层的第一面上以预定间隔设置多个四角锥形状或倒四角锥形状而形成，每个四角锥形状或倒四角锥形状包括倾斜角度取决于构成所述半导体层的单晶硅晶片的结晶面的第一面指数的斜面，并且所述透过抑制部包括第二凹凸结构，第二凹凸结构通过在所述半导体层的第二面上以预定间隔设置多个四角锥形状或倒四角锥形状而形成，每个四角锥形状或倒四角锥形状包括倾斜角度取决于与第一面指数不同的第二面指数的斜面，和其中用于形成第一凹凸结构的结晶面的面指数为110并且用于形成第二凹凸结构的结晶面的面指数为111，或者其中用于形成第一凹凸结构的结晶面的面指数为111并且用于形成第二凹凸结构的结晶面的面指数为110。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 传感器元件和电子设备
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