龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了基于分子动力学模拟的含表面点缺陷4H‑SiC热导率计算方法，采用分子模拟软件建立第一4H‑SiC晶体模型，并对第一4H‑SiC晶体模型进行缺陷构建，得到含表面点缺陷的第一4H‑SiC晶体模型；采用分子模拟软件对含表面点缺陷的第一4H‑SiC晶体模型进行能量最小化运算，得到稳定表面点缺陷模型；利用分子模拟软件计算稳定表面点缺陷模型电子的波函数和电子能级，根据波函数和电子能级绘制稳定表面点缺陷模型电子态密度图；利用LAMMP软件计算稳定表面点缺陷模型热导率；本发明基于分子动力学模拟表面点缺陷的4H‑SiC热导率计算方法，解决了现有技术使用LAMMPS软件计算热导率时，参数选择不完善，热导率计算结果准确率低的问题。
主权项：1.基于分子动力学模拟表面点缺陷的4H-SiC热导率计算方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1：采用分子模拟软件建立第一4H-SiC晶体模型，并对第一4H-SiC晶体模型进行缺陷构建，得到含表面点缺陷的第一4H-SiC晶体模型；步骤2：采用分子模拟软件对含表面点缺陷的第一4H-SiC晶体模型进行能量最小化运算，得到稳定表面点缺陷模型；步骤3：利用分子模拟软件计算稳定表面点缺陷模型电子的波函数和电子能级，根据波函数和电子能级绘制稳定表面点缺陷模型电子态密度图；步骤4：利用LAMMPS软件计算稳定表面点缺陷模型热导率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 基于分子动力学模拟的含表面点缺陷4H-SiC热导率计算方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号