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申请/专利权人：秀博瑞殷株式公社
摘要：本发明涉及一种阶梯覆盖率改善剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为阶梯覆盖率改善剂，基于该化合物的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
主权项：1.一种阶梯覆盖率改善剂，其特征在于，包含由下述化学式1表示的化合物，[化学式1] 其中，在上述化学式1中，R1和R2彼此独立地为H或碳原子数为1至5的烷基，n为2至4的整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 秀博瑞殷株式公社 阶梯覆盖率改善剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件
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