龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
摘要：本申请提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该制造方法通过离子注入的方式形成第一导电类型半导体源区时，不增加场效应晶体管的造成工艺和成本，使得不同区域的第一导电类型半导体源区的掺杂浓度不同，因场效应晶体管的沟道密度降低，有效降低了寄生三极管的基极压降，减少寄生三极管开启的风险，增强了场效应晶体管的抗热不稳定性和安全工作区，与具有虚拟元胞的器件相比，其导通电阻明显减小。
主权项：1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，在所述衬底的正面生成第一导电类型半导体漂移区；在所述第一导电类型半导体漂移区内形成第一沟槽，并在所述第一沟槽内形成第一氧化层；在所述第一氧化层上进行多晶硅淀积，形成屏蔽栅多晶硅电极；在所述屏蔽栅多晶硅电极上进行热氧化生长或淀积，形成第二氧化层，其中，所述第一氧化层和第二氧化层包裹所述屏蔽栅多晶硅电极；对位于所述第二氧化层上的所述第一导电类型半导体漂移区先进行热氧化生长再刻蚀形成弧面结构，在所述弧面结构进行热氧化生长，形成第三氧化层，在所述第二氧化层上进行多晶硅淀积，形成栅多晶硅电极；在所述第一导电类型半导体漂移区背离所述衬底的一侧进行离子注入和推结，形成第二导电类型半导体区；在所述第二导电类型半导体区背离所述第一导电类型半导体漂移区的一侧进行分区离子注入和推结，形成具有坡度的两个第一导电类型半导体源区；在所述栅多晶硅电极、两个所述第一导电类型半导体源区及所述第三氧化层上进行钝化，形成栅源间介质层；在所述栅源间介质层背离两个所述第一导电类型半导体源区的一侧进行光刻，形成第二沟槽，对所述第二沟槽进行离子注入，且部分延伸至所述第二导电类型半导体区内，形成第二导电类型半导体欧姆接触区；在所述栅源间介质层和所述第二导电类型半导体欧姆接触区上进行淀积金属，形成源极金属层；对所述衬底的背面进行淀积金属，形成漏极金属层；其中，第一个所述第一导电类型半导体源区的掺杂浓度大于第二个所述第一导电类型半导体源区的掺杂浓度，所述第一氧化层、所述第二氧化层及所述第三氧化层构成绝缘介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆平伟实业股份有限公司 一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号