龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院金属研究所;东北大学
摘要：本发明涉及半导体器件的研发与应用，具体为一种基于热电器件快速控温碳纳米管场效应晶体管及制作方法。该碳纳米管场效应晶体管包括衬底、与沟道接触的钛金源漏电极、氧化铪介电层，以及位于氧化铪介电层之上的叠层钛金栅电极，衬底为自下而上的二氧化硅重掺杂的P型硅片二氧化硅组合结构，沟道是通过水浴加热沉积制备的单壁碳纳米管沟道，沟道上方为栅极区域，自下而上的结构依次为氧化铪介电层和栅电极，源漏电极以及栅电极为钛金自下而上的叠层复合结构。本发明首次提出基于热电控温技术的碳纳米管场效应晶体管性能调控方法，能够有效表征环境温度变化对碳纳米管场效应晶体管性能的影响，实现对器件温度的精准控制。
主权项：1.一种基于热电器件快速控温碳纳米管场效应晶体管，其特征在于，该碳纳米管场效应晶体管包括衬底、与沟道接触的钛金源漏电极、氧化铪介电层，以及位于氧化铪介电层之上的叠层钛金栅电极，整体结构为：二氧化硅重掺杂的P型硅片二氧化硅钛金半导体性碳纳米管氧化铪钛金，自下而上的叠层复合结构，衬底为自下而上的二氧化硅重掺杂的P型硅片二氧化硅组合结构，沟道是通过水浴加热进行沉积的单壁碳纳米管沟道，沟道上方为栅极区域，栅极区域自下而上的结构依次为氧化铪介电层和栅电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 东北大学 基于热电器件快速控温碳纳米管场效应晶体管及制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号