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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
摘要：本发明公开了一种多值相变存储阵列结构及其制备方法，多值相变存储阵列结构包括：多个相变存储单元，相变存储单元包括依次相连的底电极、选通器件、相变电阻和顶电极；各相变存储单元的选通器件之间具有各不相同的阈值电压，且各选通器件的阈值电压均小于各相变存储单元的相变电阻的相变电压，以通过各选通器件对各相变电阻对应施加各不相同的电流或电压脉冲，使各相变电阻具有各不相同的低态相变电阻值和高态相变电阻值。本发明能够使相变存储阵列实现不同阻值的多值存储，并有效提高器件操作的准确性，增加器件的疲劳次数和可靠性，从而能有效改善相变存储阵列中多值存储的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种多值相变存储阵列结构，其特征在于，包括：多个相变存储单元，所述相变存储单元包括依次相连的底电极、选通器件、相变电阻和顶电极；其中，各所述相变存储单元的所述选通器件之间具有各不相同的阈值电压，且各所述选通器件的阈值电压均小于各所述相变存储单元的所述相变电阻的相变电压，以通过各所述选通器件对各所述相变电阻对应施加各不相同的电流或电压脉冲，使各所述相变电阻具有各不相同的低态相变电阻值和高态相变电阻值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 一种多值相变存储阵列结构及其制备方法
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