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申请/专利权人：同芯构技术(苏州)有限公司
摘要：本发明公开了一种泛半导体铝合金真空腔体搅拌摩擦焊接制备方法，属于真空镀膜设备制造技术领域。包括如下工艺步骤：1侧板拼装；2侧板焊接；3侧板加工；4底板拼装；5底板焊接；6底板加工；7退火；8腔体加工。本发明使得真空腔体焊接应力减少，提高了机械加工的精度，降低了制造大型腔体时因密封槽有气孔进行返修的可能性。搅拌摩擦焊焊接大型腔体时操作人员可以与腔体保持一定距离，相比氩弧焊焊接要更加安全，环保无污染，难度更低。
主权项：1.一种泛半导体铝合金真空腔体搅拌摩擦焊接制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：步骤1侧板拼装：两块侧板Ⅰ与两块侧板Ⅱ在平台上进行拼装，保证配合到位；步骤2侧板焊接：拼装好的侧板Ⅰ与侧板Ⅱ通过工装进行固定，然后焊接各个侧板Ⅰ、侧板Ⅱ形成侧板框架；步骤3侧板加工：焊接好的侧板Ⅰ、侧板Ⅱ进行机加工，切除掉焊接时辅助用的引弧块；步骤4底板拼装：将底板拼装到加工后的侧板Ⅰ、侧板Ⅱ上，保证配合到位；步骤5底板焊接：拼装好的底板通过工装进行固定，然后焊接底板与侧板Ⅰ、侧板Ⅱ；步骤6底板加工：焊接好的底板进行机加工，切除掉焊接时辅助用的引弧块；步骤7退火：将焊接后侧板Ⅰ、侧板Ⅱ和底板形成的腔体工件放至加热炉进行退火，以消除焊接应力；步骤8腔体加工：去应力后腔体工件进行整体特征加工，底板在上、侧板Ⅰ和侧板Ⅱ在下放置，以顶部密封面为定位基准，铣加工侧板Ⅰ、侧板Ⅱ及底板；然后，底板放置在加工平台上，以铣加工后的底板为定位基准，铣加工顶部密封面。
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权利要求：
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