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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的步骤a。等离子体处理装置具有设置于腔室内的基片支承部，基片支承部支承载置在其上的基片。等离子体处理方法还包括从偏置电源对基片支承部的偏置电极施加电压脉冲，以将离子从等离子体引入基片的步骤b。等离子体处理方法还包括反复进行步骤b的步骤c。在步骤c中，变更电压脉冲的持续时间长度，以变更基片的电位。
主权项：1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：步骤a，在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体，该等离子体处理装置具有设置于所述腔室内的基片支承部，该基片支承部支承载置在其上的基片；步骤b，从偏置电源对所述基片支承部的偏置电极施加电压脉冲，以将离子从所述等离子体引入所述基片；和步骤c，反复进行所述步骤b，在所述步骤c中，变更所述电压脉冲的持续时间长度，以变更所述基片的电位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法和等离子体处理装置
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