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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
摘要：本发明公开了一种多值相变存储阵列结构及其制备方法，多值相变存储阵列结构包括：多个相变存储单元，所述相变存储单元包括依次相连的底电极、相变电阻和顶电极；其中，各所述相变存储单元的所述相变电阻之间具有各不相同的晶态电阻值和各不相同的非晶态电阻值，且各所述相变电阻的晶态电阻值小于任意一个所述相变电阻的非晶态电阻值。本发明能够使相变存储阵列实现不同阻值的多值存储，并有效提高器件操作的准确性，增加器件的疲劳次数和可靠性，从而能有效改善相变存储阵列中多值存储的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种多值相变存储阵列结构，其特征在于，包括：多个相变存储单元，所述相变存储单元包括依次相连的底电极、相变电阻和顶电极；其中，各所述相变存储单元的所述相变电阻之间具有各不相同的晶态电阻值和各不相同的非晶态电阻值，且各所述相变电阻的晶态电阻值小于任意一个所述相变电阻的非晶态电阻值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 一种多值相变存储阵列结构及其制备方法
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