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申请/专利权人：深圳彤辉科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体晶体管检测技术领域，特别是半导体晶体管的性能检测方法、检测装置及存储介质。计算目标半导体晶体管的封装偏差产生寄生电容的概率值，基于概率值以及信号延迟异常样本曲线对目标半导体晶体管的性能分析；规划出温度反常寄生电容异变区域块，若温度反常寄生电容异变区域块中的目标半导体晶体管可通过降噪机制调节阈值电压回升，则分析目标半导体晶体管处于温度反常寄生电容异变区域块的信号处理性能；若不可通过降噪机制调节阈值电压回升，则分析计算目标半导体晶体管处于高温导致漏电流的噪声环境下的电流响应性能。本发明能够对半导体晶体管的性能进行多方面检测，以提高半导体晶体管在集成电路上的控制性能。
主权项：1.一种半导体晶体管的性能检测方法，其特征在于，包括以下步骤：构建目标半导体晶体管的理想集成电路检测框架，基于所述理想集成电路检测框架对目标半导体晶体管进行检测，以输出预设工作电压信号与实际工作电压信号之间差异的信号解，并根据所述信号解获取信号延迟异常样本曲线；获取理想集成电路的基尔霍夫电压拓扑图，根据所述基尔霍夫电压拓扑图计算目标半导体晶体管的封装偏差产生寄生电容的概率值，基于所述概率值以及信号延迟异常样本曲线对目标半导体晶体管的性能分析，得到第一性能检测结果；获取各个寄生电容异变区域块的实时温度数据，根据所述实时温度数据规划出温度反常寄生电容异变区域块，若温度反常寄生电容异变区域块中的目标半导体晶体管可通过降噪机制调节阈值电压回升，则分析目标半导体晶体管处于温度反常寄生电容异变区域块的信号处理性能，得到第二性能检测结果；若温度反常寄生电容异变区域块中的目标半导体晶体管不可通过降噪机制调节阈值电压回升，则分析计算目标半导体晶体管处于高温导致漏电流的噪声环境下的电流响应性能，得到第三性能检测结果；根据所述第一性能检测结果、第二性能检测结果以及第三性能检测结果对目标半导体晶体管的性能进行优化，生成第一性能优化方案和第二性能优化方案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳彤辉科技有限公司 半导体晶体管的性能检测方法、检测装置及存储介质
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