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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法，属于半导体材料技术领域，包括：将非配比磷化铟多晶料用酒精清洗，然后用去离子水清洗3‑5遍；将多晶料在流动惰性气体下加热至800‑850℃，持续20‑60min，然后降低温度至室温；打磨，去掉表层的磷化铟；将打磨后的多晶料浸入盐酸中腐蚀1‑2min，然后用去离子水清洗3‑5遍；用沸腾的去离子水煮10‑30min；真空烘干。本发明采用物理和化学相结合的方法，能有效避免多晶料氧化层的形成，提高多晶料材料的纯度；工艺简单，酸腐蚀工艺环节少，对环境污染少，且成本低；针对回炉用多晶料形状多样性的特点，可以有效地进行清洗。
主权项：1.一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法，其特征在于，所述方法由以下步骤组成：步骤1、将非配比磷化铟多晶料用酒精清洗，然后用去离子水清洗3-5遍；步骤2、将多晶料在流动惰性气体下加热至800-850℃，持续20-60min，然后降低温度至室温，在加热过程中，使用石英棒搅拌多晶料；步骤3、打磨，去掉表层的磷化铟；步骤4、将打磨后的多晶料浸入盐酸中腐蚀1-2min，然后用去离子水清洗3-5遍；步骤5、用沸腾的去离子水煮10-30min；步骤6、真空烘干。
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权利要求：
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