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申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司
摘要:本发明提供一种半导体工艺腔室,包括腔体、基座、介质窗和线圈组件,介质窗盖设在腔体的顶部,基座设置于腔体内,基座具有用于承载晶圆的承载面,线圈组件设置在介质窗的上方,用于向腔体内馈入射频形成等离子体,介质窗的下表面具有环绕介质窗中心的曲面结构,曲面结构向背离基座的一侧凹陷,曲面结构在承载面上的投影覆盖承载面,以平衡基座上方的等离子体密度分布。本发明提供的半导体工艺腔室,能够提高等离子体密度的均匀性,从而能够提高晶圆的刻蚀均匀性,改善M型刻蚀,以能够满足更为先进的工艺的使用要求。
主权项:1.一种半导体工艺腔室,包括腔体、基座、介质窗和线圈组件,所述介质窗盖设在所述腔体的顶部,所述基座设置于所述腔体内,所述基座具有用于承载晶圆的承载面,所述线圈组件设置在所述介质窗的上方,用于向所述腔体内馈入射频形成等离子体,其特征在于,所述介质窗的下表面具有环绕所述介质窗中心的曲面结构,所述曲面结构向背离所述基座的一侧凹陷,所述曲面结构在所述承载面上的投影覆盖所述承载面,以平衡所述基座上方的等离子体密度分布。
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百度查询: 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室
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