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申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
摘要:本发明提供一种miniLED芯片接触电极及制备方法,miniLED芯片接触电极包括欧姆接触层及设置于欧姆接触层顶部的阻止刻穿层,阻止刻穿层包括自下而上依次设置的第一子层、第二子层及第三子层,第一子层、第二子层及第三子层由逐渐升高的镀率蒸镀形成。因miniLED芯片的工作电流较小,将传统工艺中的反射层、保护层及导电层去除,可在不影响miniLED芯片性能的情况下节约生产成本,在设置阻止刻穿层时,以不同的镀率蒸镀,在接近欧姆接触层处以低镀率蒸镀第一子层,可避免反应腔内的腔体温度升高太快,进而导致金属应力增加,使光刻胶开裂的情况发生,同时可避免因应力而产生的翘边,保障了miniLED芯片的质量。
主权项:1.一种miniLED芯片接触电极,其特征在于,包括欧姆接触层及直接设置于所述欧姆接触层顶部的阻止刻穿层,所述阻止刻穿层用于阻挡刻蚀气体,所述阻止刻穿层包括自下而上蒸镀形成的第一层、第二层及第三层,蒸镀所述第一层、所述第二层及所述第三层的镀率逐渐升高,所述第一层包括蒸镀Pt形成的第四Pt层及蒸镀Ti形成的第一插入层,所述第二层包括蒸镀Pt形成的第五Pt层及蒸镀Ti形成的第二插入层,所述第三层为由蒸镀Pt形成的第六Pt层,所述第一插入层位于所述第四Pt层与所述第五Pt层之间,所述第二插入层位于所述第五Pt层与所述第六Pt层之间。
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权利要求:
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