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申请/专利权人：量子科技长三角产业创新中心
摘要：本发明涉及一种用于芯片表面的铟柱阵列的制备方法及倒装焊芯片，通过逐层生长和压缩的方式，可以精确地控制铟柱的高度和形状，从而实现高度、底部表面积、顶部表面积以及铟柱截面积均可控的铟柱阵列，将芯片通过上述铟柱阵列倒装焊焊接在一起，提高了芯片与芯片之间的连接强度，提高了倒装焊芯片的电气稳定性，适用于各种高性能电子设备中。
主权项：1.一种用于芯片表面制备铟柱阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供一芯片；S2、在所述芯片表面上形成一光刻胶层，在芯片的信号引入引出点位置刻出淀积铟柱的阵列孔，同时在阵列孔内形成第一层原始铟柱，去除光刻胶层后，压缩第一层原始铟柱，得到第一层铟柱；S3、重复执行N-1次步骤S2的操作，在所述第一层铟柱上依次形成第二层铟柱、第三层铟柱…第N层铟柱，第N层铟柱对应第N层原始铟柱，N为不小于2的正整数，直至N层铟柱的累计高度值达到最终铟柱的预设目标高度，停止执行步骤S2的操作，得到位于所述芯片表面且具有预设目标高度的铟柱阵列。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 量子科技长三角产业创新中心 一种用于芯片表面的铟柱阵列的制备方法及倒装焊芯片
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