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申请/专利权人：长飞先进半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：外延层远离衬底结构的一侧设置有第一阱区和有源区；有源区至少包括第一掺杂类型有源区，第一掺杂类型有源区内嵌于第一阱区远离衬底结构的一侧；第一阱区设置有沟槽，沟槽位于第一掺杂类型有源区的一侧，沟槽由第一阱区远离衬底结构的表面延伸至第一阱区内；至少一个栅极结构位于沟槽内；至少一个第二阱区位于沟槽内；每一第二阱区位于一个栅极结构远离衬底结构的一侧，第二阱区与栅极结构接触；源极位于外延层远离衬底结构的一侧，源极和有源区接触；漏极位于衬底结构远离外延层的一侧。本发明可以降低器件的导通电阻，提高器件的可靠性。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底结构；外延层，所述外延层位于所述衬底结构的一侧，所述外延层与所述衬底结构的掺杂类型相同；所述外延层远离所述衬底结构的一侧设置有第一阱区和有源区；所述有源区至少包括第一掺杂类型有源区，所述第一掺杂类型有源区和所述衬底结构的掺杂类型相同；所述第一掺杂类型有源区内嵌于所述第一阱区远离所述衬底结构的一侧；所述第一阱区设置有沟槽，所述沟槽位于所述第一掺杂类型有源区的一侧，所述沟槽由第一阱区远离所述衬底结构的表面延伸至所述第一阱区内；至少一个栅极结构，所述至少一个栅极结构位于所述沟槽内；所述第一掺杂类型有源区指向所述栅极结构的方向垂直于所述衬底结构指向所述外延层的方向；至少一个第二阱区，所述至少一个第二阱区位于所述沟槽内；每一所述第二阱区位于一个所述栅极结构远离所述衬底结构的一侧，所述第二阱区与所述栅极结构接触；所述第一掺杂类型有源区指向所述第二阱区的方向垂直于所述衬底结构指向所述外延层的方向；源极，所述源极位于所述外延层远离所述衬底结构的一侧，所述源极和所述有源区接触；漏极，所述漏极位于所述衬底结构远离所述外延层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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