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申请/专利权人：武汉敏声新技术有限公司
摘要：本发明公开了一种基于铙钹结构的MEMS传感器，包括基底和位于基底一侧的铙钹结构，铙钹结构包括沿垂直基底一侧表面的方向依次设置的下端盖层、下电极层、压电层、上电极层和上端盖层；下端盖层与基底之间形成第一空隙，下端盖层朝向背离下电极层的方向突出形成第一凸起，第一凸起与下电极层之间形成第二空隙；上端盖层朝向背离上电极层的方向突出形成第二凸起，第二凸起与上电极层之间形成第三空隙。利用上述结构，实现了MEMS传感器的发射与接收应用，将压电层的横向位移与上端盖层和下端盖层的纵向位移相互转化，增大了MEMS传感器的位移变化量，避免了MEMS传感器在低频下的响应衰减，提高了MEMS传感器的输出电压和灵敏度。
主权项：1.一种基于铙钹结构的MEMS传感器，其特征在于，所述MEMS传感器包括基底和位于所述基底一侧的所述铙钹结构，所述铙钹结构包括沿垂直所述基底一侧表面的方向依次设置的下端盖层、下电极层、压电层、上电极层和上端盖层；所述下端盖层与所述基底之间形成第一空隙，所述下端盖层朝向背离所述下电极层的方向突出形成第一凸起，所述第一凸起与所述下电极层之间形成第二空隙；所述上端盖层朝向背离所述上电极层的方向突出形成第二凸起，所述第二凸起与所述上电极层之间形成第三空隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉敏声新技术有限公司 一种基于铙钹结构的MEMS传感器
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