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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了变容器、半导体器件及其形成方法。在实施例中，示例性半导体器件包括：掺杂区域，位于衬底中并包含第一类型掺杂剂；多个纳米结构，直接设置在掺杂区域上方；栅极结构，围绕在多个纳米结构中的每个纳米结构周围；第一外延部件和第二外延部件，耦合至多个纳米结构，其中，第一外延部件和第二外延部件中的每一个包括第一类型掺杂剂；第一绝缘部件，设置在第一外延部件和掺杂区域之间；以及第二绝缘部件，设置在第二外延部件和掺杂区域之间。
主权项：1.一种半导体器件，包括：掺杂区域，位于衬底中并包括第一类型掺杂剂；多个纳米结构，直接设置在所述掺杂区域上方；栅极结构，包围在所述多个纳米结构中的每个纳米结构周围；第一外延部件和第二外延部件，耦合至所述多个纳米结构，其中，所述第一外延部件和所述第二外延部件中的每一个包括所述第一类型掺杂剂；第一绝缘部件，设置在所述第一外延部件和所述掺杂区域之间；以及第二绝缘部件，设置在所述第二外延部件和所述掺杂区域之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 变容器、半导体器件及其形成方法
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