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封装结构及封装方法、芯片 

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申请/专利权人:苏州晶方半导体科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种封装结构及封装方法、芯片,所述封装结构包括衬底,衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,衬底中形成有通孔;焊垫,位于衬底的第二表面上且覆盖通孔;第一绝缘层,覆盖于衬底的第一表面、通孔的侧壁及焊垫的表面;第二绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上;第三绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上,第三绝缘层与第二绝缘层间隔设置;金属层,覆盖于第二绝缘层及第三绝缘层之上,且与焊垫相接触。本发明通过在通孔侧壁上方的第一绝缘层上间隔设置第二绝缘层和第三绝缘层,减小了整段式绝缘介质层对金属层与焊垫接触位置的应力作用,有效保护了应力集中位置的第一绝缘层,提高了封装结构的可靠性。

主权项:1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:衬底,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述衬底中形成有贯穿第一表面和第二表面的通孔;焊垫,位于衬底的第二表面上且覆盖所述通孔;第一绝缘层,覆盖于衬底的全部或部分第一表面、通孔的侧壁及焊垫的部分表面;第二绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上且延伸至衬底的第一表面上方的第一绝缘层之上;第三绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上且延伸至焊垫上方的第一绝缘层之上,所述第三绝缘层与第二绝缘层于通孔侧壁上方的第一绝缘层之上间隔设置;金属层,覆盖于全部或部分第二绝缘层及全部或部分第三绝缘层之上,所述金属层与第二绝缘层和第三绝缘层间隔处的第一绝缘层相接触,且所述金属层与通孔下方的焊垫相接触。

全文数据:

权利要求:

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