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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：用于EUV光刻的表膜包括：芯部层，所述芯部层包括硅且具有至少一个非氧化表面；和盖层，所述盖层位于所述芯部层的至少一个主表面处。所述盖层包括碳和或硼。可以在曝光操作之前或期间移除所述盖层。
主权项：1.一种用于EUV光刻的表膜，所述表膜包括：芯部层，所述芯部层包括硅且具有至少一个非氧化表面；和盖层，所述盖层位于所述芯部层的至少一个主表面处；其中所述盖层包括碳和或硼。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 用于EUV光刻的表膜
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