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申请/专利权人：无锡同磊晶体有限公司
摘要：本发明是一种掺杂浓度梯度分布的晶体及其制备方法，晶体由纯基质A的A0晶体及激活离子不同掺杂浓度的基质A的A1晶体、A2晶体、A3晶体......An晶体组成，n≥3。激活离子为可发光离子，掺杂浓度为0‑1。本发明的优点：组分及方法设计合理，生长的晶体片状籽晶接种方便，生长速度快，可在较短时间内获得无散射、缺陷少的掺杂浓度梯度分布的晶体，所生长晶体界面稳固、质量高，可实现大尺寸，为激光器件提供优良的激光晶体，可保证输出的激光光束质量和输出功率稳定，避免晶体开裂；省去了多道晶体表面处理工序，避免了键合过程中产生色心、包裹物、脱胶等缺陷的可能，可降低生产成本，提高工作效率，具有较大的经济使用价值。
主权项：1.一种掺杂浓度梯度分布的晶体，其特征在于，由纯基质A的A0晶体及激活离子不同掺杂浓度的基质A的A1晶体、A2晶体、A3晶体......An晶体组成，n≥3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡同磊晶体有限公司 一种掺杂浓度梯度分布的晶体及其制备方法
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