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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
摘要：一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法，包括：提供待测衬底；对待测衬底进行实验处理，实验处理包括：在待测衬底表面覆盖待测光刻胶层；采用目标离子注入工艺，向待测光刻胶层表面注入离子；在向待测光刻胶层表面注入离子之后，去除待测光刻胶层；在实验处理之后，采用MOS器件工艺，在待测衬底上形成待测MOS器件组，待测MOS器件组包括至少一个待测MOS器件；对各待测MOS器件分别进行阈值电压检测，获取至少一个待测MOS器件的阈值电压检测值；根据至少一个待测MOS器件的阈值电压检测值，对待测光刻胶层能否阻挡目标离子注入工艺中的离子注入进行判定，利于提高判定的精确性。
主权项：1.一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法，其特征在于，包括：提供待测衬底；对所述待测衬底进行实验处理，所述实验处理包括：在所述待测衬底表面覆盖待测光刻胶层；采用目标离子注入工艺，向所述待测光刻胶层表面注入离子；在向所述待测光刻胶层表面注入离子之后，去除所述待测光刻胶层；在所述实验处理之后，采用MOS器件工艺，在所述待测衬底上形成待测MOS器件组，所述待测MOS器件组包括至少一个待测MOS器件；对各所述待测MOS器件分别进行阈值电压检测，获取至少一个所述待测MOS器件的阈值电压检测值；根据至少一个所述待测MOS器件的阈值电压检测值，对所述待测光刻胶层能否阻挡所述目标离子注入工艺中的离子注入进行判定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法
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