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真空镀膜方法 

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申请/专利权人:安徽越好电子装备有限公司

摘要:本申请公开一种真空镀膜方法,包括:往工艺腔通入第一工艺气体并启动第一靶材,待镀工件被传送组件输入第一溅射镀膜区进行第一次溅射镀膜,至移出第一溅射镀膜区时完成沉积第一膜层,停止通气以及第一靶材工作;往工艺腔内通入第二工艺气体并启动第二靶材,待镀工件被传送组件输入第二溅射镀膜区进行第二次溅射镀膜,至移出第二溅射镀膜区时完成沉积第二膜层,停止通气以及第二靶材工作;往工艺腔内通入工艺气体的过程中进行抽气;第一工艺气体和第二工艺气体为不同的工艺气体。本申请在同一工艺腔内就不同镀膜阶段,分别独立使用第一靶材沉积第一膜层以及使用第二靶材沉积第二膜层,可有效避免向各膜层中引入杂质,以提升各膜层的纯度。

主权项:1.真空镀膜方法,其特征在于,在同一工艺腔内进行镀膜操作,所述工艺腔内设置有传送组件、第一靶材和第二靶材,以及分别对应所述第一靶材和所述第二靶材设置的第一溅射镀膜区和第二溅射镀膜区,所述真空镀膜方法包括如下步骤:往所述工艺腔通入第一工艺气体并启动所述第一靶材,待镀工件被所述传送组件输入所述第一溅射镀膜区进行第一次溅射镀膜,至移出所述第一溅射镀膜区时完成沉积第一膜层,停止通气以及所述第一靶材工作;往所述工艺腔内通入第二工艺气体并启动所述第二靶材,所述待镀工件被所述传送组件输入所述第二溅射镀膜区进行第二次溅射镀膜,至移出第二溅射镀膜区时完成沉积第二膜层,停止通气以及所述第二靶材工作;往所述工艺腔内通入工艺气体的过程中,对所述工艺腔进行抽气以维持其内部气压稳定;所述第一工艺气体和所述第二工艺气体为不同的工艺气体。

全文数据:

权利要求:

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