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申请/专利权人：信越化学工业株式会社
摘要：本发明的目的在于，获得结晶缺陷少、高品质且廉价的AlN、AlxGa1‑xN0X1、GaN等III族氮化物的外延生长和无垢的外延生长用种子基板。外延生长用种子基板具备支承基板、设置在支承基板的上表面上的0.5～3μm的平坦化层、以及设置在平坦化层的上表面上的晶种层。支承基板包含：由III族氮化物的多晶陶瓷以及至少1种以上的为III族或IV族的氮化物或氧化物的纤维状的单晶形成的复合陶瓷的芯、以及对前述芯进行密封的0.05～1.5μm的密封层。晶种层为0.04～1.5μm的Si111单晶的层。
主权项：1.一种外延生长用种子基板，其特征在于，其具备：支承基板；0.5～3μm的平坦化层，其设置于所述支承基板的上表面；以及晶种层，其设置于所述平坦化层的上表面，所述支承基板包含：复合陶瓷的芯，其由III族氮化物的多晶陶瓷和至少1种以上的为III族或IV族的氮化物或氧化物的纤维状的单晶形成；以及0.05～1.5μm的密封层，其对所述芯进行密封，所述晶种层为0.04～1.5μm的Si111单晶的层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越化学工业株式会社 高特性外延生长用种子基板、高特性外延生长用种子基板的制造方法、半导体基板和半导体基板的制造方法
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