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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了用于形成半导体结构的方法。方法包括：在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。方法也包括：使鳍结构的第一半导体层横向凹进以形成多个槽口；在槽口中形成多个内部间隔件；使内部间隔件横向凹进以在内部间隔件中形成多个凹槽；以及在鳍结构上方生长源极漏极部件。凹槽由源极漏极部件和内部间隔件密封，以形成多个空气间隔件。本申请的实施例还涉及半导体结构。
主权项：1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构，其中，所述鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；使所述鳍结构的所述第一半导体层横向凹进以形成多个槽口；在所述多个槽口中形成多个内部间隔件；使所述多个内部间隔件横向凹进，以在所述多个内部间隔件中形成多个凹槽；以及在所述鳍结构上方生长源极漏极部件，其中，所述多个凹槽由所述源极漏极部件和所述多个内部间隔件密封，以形成多个空气间隔件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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