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申请/专利权人：金陵科技学院
摘要：本发明公开了一种通过磁控溅射在SiSiO2衬底上制备HfO2薄膜优化Bi2O2Se薄膜生长的方法及Bi2O2Se薄膜，半导体材料技术领域，方法为：利用HfO2靶，在SiSiO2衬底上溅射得到HfO2薄膜；利用Bi2O2Se靶，继续在HfO2薄膜上溅射得到Bi2O2Se薄膜。本发明以HfO2薄膜做为缓冲层优化Bi2O2Se薄膜的生长，改善其结晶度和成型，制备出表面连续、平整、大面积且质量优质的HfO2Bi2O2Se半导体薄膜。本发明方法简单，制备时间短，成本低廉，可制备大面积Bi2O2Se半导体薄膜，适合工业化需求，有助于推进半导体薄膜材料的发展与应用。
主权项：1.一种通过磁控溅射在SiSiO2衬底上制备Bi2O2Se薄膜的方法，其特征在于：利用HfO2靶，在SiSiO2衬底上溅射得到HfO2薄膜；利用Bi2O2Se靶，继续在HfO2薄膜上溅射得到Bi2O2Se薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金陵科技学院 一种通过磁控溅射在Si/SiO2衬底上制备HfO2薄膜优化Bi2O2Se薄膜生长的方法及Bi2O2Se薄膜
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