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申请/专利权人：广东晶智光电科技有限公司
摘要：一种锑化铟晶片的退火方法包括步骤：S1，用提拉法生长未掺杂Te的载流子浓度在2E14cm3以下的InSb晶体；S2，将InSb晶体切片作为InSb晶片；S3，将InSb晶片研磨抛光；S4，通过烧瓶的一磨口将乙醇和四氯化碲的混合溶液加入烧瓶中，四氯化碲在混合溶液中的质量分数为1‑5％，烧瓶的另一磨口用于装回凝装置；S5，将研磨抛光后的InSb晶片经由其中过一个磨口放入烧瓶的混合溶液中并完全浸入在混合溶液中；S6，将回凝装置安装在烧瓶的对应的磨口上，将烧瓶的另一磨口封堵；S7，将烧瓶的混合溶液升温至60‑70℃，采用回凝方式退火10‑20h，完成退火。由此，提高锑化铟晶片的掺杂均匀性，从根本上解决所制作的InSb探测器的不均匀条纹的问题。
主权项：1.一种锑化铟晶片的退火方法，其特征在于，包括步骤：S1，用提拉法生长未掺杂Te的载流子浓度在2E14cm3以下的InSb晶体；S2，将InSb晶体切片作为InSb晶片；S3，将InSb晶片研磨抛光；S4，通过烧瓶的一磨口将乙醇和四氯化碲的混合溶液加入烧瓶中，四氯化碲在混合溶液中的质量分数为1-5％，烧瓶的另一磨口用于装回凝装置；S5，将研磨抛光后的InSb晶片经由其中过一个磨口放入烧瓶的混合溶液中并完全浸入在混合溶液中；S6，将回凝装置安装在烧瓶的对应的磨口上，将烧瓶的另一磨口封堵；S7，将烧瓶的混合溶液升温至60-70℃，采用回凝方式退火10-20h，完成退火。
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