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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种提高栅氧可靠性的SiC器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在平面栅SiCMOSFET器件的JFET区中间的SiCSiO2界面采用反向PN结二极管结构进行保护设计，在器件关断时，P+区的两端包裹在栅氧化层的拐角处，更好保护了栅氧化层，避免电场在此处集中，降低了击穿失效概率。而在门极加压时，反向的PN结又避免了在栅漏之间产生漏电流，因此提高了SiCMOSFET器件的长期使用可靠性。
主权项：1.一种提高栅氧可靠性的SiC器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，在N+Sub层（1）上外延生长N-Drift层（2）；S200，在N-Drift层（2）表面通过Al离子注入形成P+区（3）；S300，在P+区（3）表面通过N离子注入形成N+区（4）；S400，刻蚀N-Drift层（2）的顶部，保留N-Drift层（2）上的P+区（3）和N+区（4）；S500，在N-Drift层（2）表面通过Al离子注入形成P-base区（5）；S600，在P-base区（5）表面通过N离子注入形成NP区（6）；S700，在P-base区（5）表面通过Al离子注入形成与NP区（6）连接的PP区（7）；S800，在N-Drift层（2）的顶面通过干氧氧化生长方式形成一层栅氧化层（8）；S900，在栅氧化层（8）的顶面通过淀积多晶硅方式形成一层Poly层（9），作为器件的栅电极；S1000，在Poly层（9）的顶面通过淀积氧化物方式形成一层向下延伸至NP区（6）顶面的隔离介质层（10）；S1100，在N-Drift层（2）的顶面通过镍金属溅射方式形成一层欧姆接触金属层，之后通过退火形成欧姆接触合金层（11）；S1200，在隔离介质层（10）和欧姆接触合金层（11）的顶面通过钛铝铜金属溅射方式形成正面电极金属层（12），作为器件的源电极。
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