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申请/专利权人:江苏凯威特斯半导体科技有限公司
摘要:本发明公开了一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法,包括将喷淋头放置于含有甲缩醛、双氧水、丙酮清洗液中浸泡、氧气等离子清洗、氮气等离子清洗、超微纳米气泡工艺清洗、纯水超声处理等步骤。本发明采用化学等离子结合超微纳米气泡工艺的方式,对半导体化学气相沉积设备进行清洗。这种方法能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗,有效去除表面和孔洞的污染物,提高清洗效果和产品质量;本发明方法不仅能够对产品表面和孔洞内部进行深层次清洗,同时,因为不涉及酸碱化学品,因此对母材的损伤较小,这一优势将大大提高半导体制造设备的清洗效率和质量,从而提高半导体产品的整体性能和使用寿命。
主权项:1.一种针对半导体化学气相沉积喷淋头的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:1将喷淋头放置于清洗液中浸泡,以去除表面的有机物,所述清洗液包含甲缩醛、双氧水、丙酮;2取出喷淋头,对其进行等离子清洗,以去除大部分硅聚物,碳氟聚合物和其他污染物,所述等离子清洗包括氧气等离子清洗和氮气等离子清洗两个步骤;3使用超微纳米气泡工艺清洗残留的污染物;4对步骤3得到的喷淋头进行纯水超声处理,吹干;5将步骤4得到的喷淋头烘干并冷却。
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