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申请/专利权人：上海甘田光学材料有限公司
摘要：本发明属于光电器件技术领域，公开了一种含氰基聚噻吩类导电聚合物及其制备方法与应用。本发明在聚噻吩类共轭主链中引入带有芳香桥的氰基，通过控制噻吩并[3,2‑b]噻吩的带隙、改变共轭长度、空间位阻，不但突破了腈类材料难聚合这一瓶颈，其制备方法简单、可控，且该导电聚合物具有良好的电化学储能和光电性能，推进了导电聚合物类电极材料的快速加工制备及储能应用，是一种性能优异的光电器件材料。
主权项：1.一种含氰基聚噻吩类导电聚合物，其特征在于，所述含氰基聚噻吩类导电聚合物的结构如式Ⅰ所示： 其中，n＝2～100且n为自然数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海甘田光学材料有限公司 一种含氰基聚噻吩类导电聚合物及其制备方法与应用
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