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申请/专利权人：无锡舜铭存储科技有限公司
摘要：本发明公开一种铁电存储器的制造方法，首先提供半导体衬底，然后形成第一互连结构，包括第一电容导电柱、第一位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层，接下来依次形成第二介质层及第一牺牲层，并在第二介质层和第一牺牲层中形成深孔，暴露出第一电容导电柱的端面，在深孔及第一牺牲层表面沉积电极材料，形成第一电极层，去除部分电极材料及第一牺牲层，依次形成高介电常数铁电氧化物层和第二电极层，并进行填充，最后形成金属互连及板线和位线。通过第一牺牲层的设置，使得第一电极层的部分外表面也可沉积铁电材料及第二电极层，进而在同样深宽比的深孔体积下相较于传统的深孔型电容具有更大的面积，有效地提高了铁电存储器的存储密度。
主权项：1.一种铁电存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括铁电存储单元区，所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线；形成第一互连结构，所述第一互连结构包括导电柱以及导电柱之间的第一介质层，其中所述导电柱包括第一电容导电柱以及第一位线导电柱；在第一介质层的表面依次形成第二介质层及第一牺牲层；通过光刻和刻蚀工艺在第二介质层和第一牺牲层中形成深孔，所述深孔的底部暴露出所述第一电容导电柱的端面；在所述深孔及第一牺牲层表面沉积电极材料，形成第一电极层；去除部分电极材料，仅保留所述深孔的底部及侧面的第一电极层；去除所述第一牺牲层，以暴露所述第一电极层的至少部分外表面；在所述第一电极层及第二介质层的表面依次形成高K铁电氧化物层和第二电极层，形成电容结构；形成填充层，所述填充层的表面不低于所述第二电极层的表面；通过光刻、刻蚀工艺去除顶面的部分第二电极层及高介电常数铁电氧化物层，使得每个电容器互相分离；形成金属互连及板线和位线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡舜铭存储科技有限公司 一种铁电存储器的制造方法及铁电存储器结构
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