买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：安徽光智科技有限公司

摘要：一种硫系玻璃基底8‑12μm增透膜系的制备方法包括步骤：S1，将作为镜片的硫系玻璃基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理；S2，将清洁处理好的镜片放入工装夹具，工装夹具挂入真空镀膜机；S3，真空镀膜机启动抽真空，离子源清洗；S4，维持真空度，在镜片的第一面蒸镀IDA膜层；S5，蒸镀第一ZnS膜层；S6蒸镀Ge膜层；S7，蒸镀第二ZnS膜层；S8，蒸镀第一Y2O3膜层；S9，蒸镀YbF3膜层；S10，蒸镀第二Y2O3膜层；S11，蒸镀第三ZnS膜层；S12，蒸镀第三ZnS膜层镀制完成后，待真空室冷却至60℃以下将工装夹具连同陪镀片和产品取出；S13，重复步骤S1至步骤S12，在镜片的相反的第二面依次蒸镀IDA膜层、第一ZnS膜层、Ge膜层、第二ZnS膜层、第一Y2O3膜层、YbF3膜层、第二Y2O3膜层、第三ZnS膜层。

主权项：1.一种硫系玻璃基底8-12μm增透膜系的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1，将作为镜片的硫系玻璃基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，硫系玻璃基底为IG06基底，陪镀片的厚度为0.9-1.5mm；S2，将清洁处理好的镜片放入工装夹具，放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内，腔体的温度设定为120-130℃；S3，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1.5×10-3Pa，打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.0-2.5A、发射极的电流为1.3-1.5A；S4，维持前述真空度，在镜片的第一面蒸镀IDA膜层，IDA膜层的沉积速率为0.3nms，控制IDA膜层的膜厚为15nm±1nm，不采用离子源辅助蒸镀，IDA膜层的膜料为商购自美国umicore公司、牌号0484519的颗粒状的直径0.7-3.5mm的IdaTi-Pr-Oxide；S5，在镀制的IDA膜层上蒸镀第一ZnS膜层，第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，控制第一ZnS膜层的膜厚为652nm±5nm，不采用离子源辅助蒸镀；S6，在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀Ge膜层，Ge膜层沉积的速率为0.3nms，控制Ge膜层的膜厚为23.5nm±1nm，不采用离子源辅助蒸镀；S7，在镀制的Ge膜层上蒸镀第二ZnS膜层，第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，控制第二ZnS膜层的膜厚为120nm±4nm，不采用离子源辅助蒸镀；S8，在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀第一Y2O3膜层，第一Y2O3膜层沉积的速率为0.3nms，控制第一Y2O3膜层的膜厚为15nm±1nm，不采用离子源辅助蒸镀；S9，在镀制的第一Y2O3膜层上蒸镀YbF3膜层，YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，控制YbF3膜层的膜厚为1170nm±5nm，不采用离子源辅助蒸镀；S10，在镀制的YbF3膜层上蒸镀第二Y2O3膜层，第二Y2O3膜层沉积的速率为0.3nms，控制第二Y2O3膜层的膜厚为15nm±1nm，不采用离子源辅助蒸镀；S11，在镀制的第二Y2O3膜层上蒸镀第三ZnS膜层，第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，控制第三ZnS膜层的膜厚为115nm±4nm，不采用离子源辅助蒸镀；S12，蒸镀第三ZnS膜层镀制完成后，待真空室冷却至60℃以下将工装夹具连同陪镀片和产品取出；S13，重复步骤S1至步骤S12，在镜片的相反的第二面依次蒸镀IDA膜层、第一ZnS膜层、Ge膜层、第二ZnS膜层、第一Y2O3膜层、YbF3膜层、第二Y2O3膜层、第三ZnS膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽光智科技有限公司 硫系玻璃基底8-12μm增透膜系的制备方法