龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：广东晶智光电科技有限公司
摘要：一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：S1，装料，将掺杂剂颗粒铺在坩埚的底部，将InSb多晶料铺在掺杂剂颗粒上，掺杂剂与InSb多晶料的掺杂比例为0.5‑1g10kg，掺杂剂的纯度为5N以上，InSb多晶料的纯度为7.5N以上，掺杂剂选自GaN、GaP、InP、GaAs、InAs、GaSb中的一种或几种；S2，将提拉法晶体生长设备抽真空、赶气、检漏，以使提拉法晶体生长设备内达到真空；S3，将氮气‑氢气混合气通入提拉法晶体生长设备内，维持0.1MPa；S4，化料；S5，在形成熔体后，压力升至0.15MPa时维持坩埚的温度不变；S6，直拉进行晶体生长以形成晶棒；S7，晶体生长完成后，停止加热、降温、将提拉法晶体生长设备内的气体置换为氮气后，打开提拉法晶体生长设备，将晶棒从拉晶杆上剪下。
主权项：1.一种锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，包括步骤：S1，装料，将掺杂剂颗粒铺在坩埚的底部，将InSb多晶料铺在掺杂剂颗粒上，掺杂剂与InSb多晶料的掺杂比例为0.5-1g10kg，掺杂剂的纯度为5N以上，InSb多晶料的纯度为7.5N以上，掺杂剂选自GaN、GaP、InP、GaAs、InAs、GaSb中的一种或几种；S2，将提拉法晶体生长设备抽真空、赶气、检漏，以使提拉法晶体生长设备内达到真空；S3，将氮气-氢气混合气通入提拉法晶体生长设备内，以使提拉法晶体生长设备内的压力维持0.1MPa；S4，化料，开启对坩埚的加热，升温融化坩埚内的InSb多晶料和掺杂剂颗粒；S5，在InSb多晶料和掺杂剂颗粒完全融化形成熔体后，提拉法晶体生长设备内的压力升至0.15MPa时维持坩埚的温度不变；S6，在步骤S5之后，拉晶杆带动籽晶向下运动进入坩埚内、从熔体表面浸入、之后拉晶杆向上进行直拉进行晶体生长以形成晶棒，在晶体生长过程中坩埚和拉晶杆保持相反的转速，坩埚的转速为0.5-1.5rpm，拉晶杆的转速2-4rpm，籽晶为纯度7.5N的锑化铟单晶，拉速恒定为5-15mmh；S7，晶体生长完成后，停止加热、降温、将提拉法晶体生长设备内的气体置换为氮气后，打开提拉法晶体生长设备，将晶棒从拉晶杆上剪下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东晶智光电科技有限公司 锑化铟晶体的生长方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号