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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：一种在半导体结构中形成接触层的方法，包括：在基板上形成的多个第一半导体区域及多个第二半导体区域的暴露表面上执行预清洁处理，其中多个第一及第二半导体区域的暴露表面各自设置在形成于介电层中的开口内，介电层设置在基板上方；执行第一选择性外延沉积处理以在第一半导体区域的暴露表面上形成第一接触层并且在第二半导体区域的暴露表面上形成第二接触层；执行图案化处理以形成图案化堆叠，其中图案化堆叠包含图案化层，该图案化层包含形成于设置在介电层中的每个开口内的第一接触层上方的开口及在设置于介电层中的每个开口内的每个第二接触层上方设置的图案化层的一部分；以及执行选择性移除处理以对多个第一半导体区域、介电层、及图案化层选择性地移除第一接触层。
主权项：1.一种在半导体结构中形成电气接触的方法，包含以下步骤：在形成于基板上的多个第一半导体区域及多个第二半导体区域的暴露表面上执行预清洁处理，其中所述多个第一半导体区域及所述多个第二半导体区域的所述暴露表面各自设置在形成于介电层中的开口内，所述介电层设置在所述基板上方；执行第一选择性外延沉积处理，以在所述第一半导体区域的所述暴露表面上形成第一接触层并且在所述第二半导体区域的所述暴露表面上形成第二接触层；执行图案化处理，以形成图案化堆叠，其中所述图案化堆叠包含图案化层，所述图案化层包含形成于设置在所述介电层中的每个开口内的所述第一接触层上方的开口，以及在设置于所述介电层中的每个开口内的每个第二接触层上方设置的所述图案化层的一部分；以及执行选择性移除处理，以对所述多个第一半导体区域、所述介电层、及所述图案化层选择性地移除所述第一接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于CMOS器件的接触形成处理
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