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申请/专利权人：西安中车永电电气有限公司
摘要：本发明属于IGBT芯片技术领域，具体涉及一种用于降低并联芯片电流不均的IGBT模块芯片布局结构。本发明的IGBT模块芯片布局结构，通过将驱动信号端子放置在DBC基板中间位置，与每个IGBT芯片栅极距离相同，且与芯片栅极直接连接；辅助发射极端子采用分立式结构，分布于与IGBT芯片距离相同的位置处，使得并联芯片间控制回路路径趋于一致，且并联芯片开关过程产生的杂散电感趋于一致，减小并联芯片间开关的不同步性和电流的不均衡性，降低了IGBT芯片间电流差异率，使芯片均流性能得到提升，有利于芯片的长期稳定运行。
主权项：1.一种用于降低并联芯片电流不均的IGBT模块芯片布局结构，其特征在于，包括：两个第一铜层，两个所述第一铜层关于第二铜层3对称设置，每个所述第一铜层均设有辅助发射极和主电极端子，所述第二铜层3中部设有容纳第三铜层5的中空结构、且还设有主电极端子；所述第二铜层3上连接有至少三个IGBT芯片以及至少两个FRD芯片；每个所述第一铜层连接有至少一个IGBT芯片以及至少一个FRD芯片、且均沿第一铜层的同一方向排布；每个所述IGBT芯片均与第三铜层5连接，所述第三铜层5还设有驱动信号端子，每个所述IGBT芯片与驱动信号端子的距离相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安中车永电电气有限公司 一种用于降低并联芯片电流不均的IGBT模块芯片布局结构
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