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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了用于管芯结构的间隙填充电介质及其形成方法。在实施例中，器件包括：外部间隙填充电介质，具有第一热膨胀系数；第一集成电路管芯，位于外部间隙填充电介质中；第二集成电路管芯，位于外部间隙填充电介质中；内部间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯和第二集成电路管芯之间，内部间隙填充电介质具有第二热膨胀系数，第二热膨胀系数大于第一热膨胀系数；以及第三集成电路管芯，位于内部间隙填充电介质上方，第三集成电路管芯接合至第一集成电路管芯并且接合至第二集成电路管芯。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：外部间隙填充电介质，具有第一热膨胀系数；第一集成电路管芯，位于所述外部间隙填充电介质中；第二集成电路管芯，位于所述外部间隙填充电介质中；内部间隙填充电介质，位于所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯之间，所述内部间隙填充电介质具有第二热膨胀系数，所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数；以及第三集成电路管芯，位于所述内部间隙填充电介质上方，所述第三集成电路管芯接合至所述第一集成电路管芯并且接合至所述第二集成电路管芯。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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