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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及晶棒制造技术领域，尤其涉及一种改善重掺100硅单晶内掺杂剂分布不均的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：化料工序；步骤2：稳定工序；步骤3：拉晶工序；步骤4：冷却工序；具体的，通过调整化料工序和稳定工序中的氩气流量，调节单晶炉内的温度热场梯度，使掺杂剂能够在硅单晶内更均匀地溶解；通过调整化料工序和稳定工序中的炉压，能够促进掺杂剂的挥发，防止掺杂剂及其挥发物长时间停留在炉腔内；通过调整等径工序的拉速，使掺杂剂在硅单晶内对称分布；从而使硅单晶内的掺杂剂分布更均匀，并且硅单晶的拉晶速度的拉晶速度高于0.7mmmin，如此，能够提高硅单晶内掺杂剂分布的均匀性，同时提升硅单晶的生产效率。
主权项：1.一种改善重掺100硅单晶掺杂剂分布不均的拉晶方法，其特征在于，包括：步骤1，化料工序：将原料送入单晶炉的坩埚内并熔化为液体熔融硅；步骤2，稳定工序：调整熔融硅的液面使其位于单晶炉的热屏下方；步骤3，拉晶工序：经过引晶、放肩、转肩、等径及收尾等阶段后停炉；步骤4，冷却工序：使硅单晶棒逐渐冷却至室温；其中，通过调整所述化料工序及稳定工序中的氩气流量及炉压，以调节硅单晶内掺杂剂的分布浓度；通过调整所述拉晶工序中各步骤的拉速，以使硅单晶内的掺杂剂呈对称分布；所述拉晶工序中的拉速高于0.7mmmin。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 改善重掺100硅单晶掺杂剂分布不均的拉晶方法
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