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申请/专利权人：鲁东大学
摘要：本发明提供了一种双面刻蚀双面填充沟槽电极探测器，包括：硅基体，硅基体形状为立方体；硅基体中心沿着竖直方向两侧设置中央阳极；硅基体两侧设有沟槽阴极；相邻的硅基体共享相同的沟槽阴极；中央阳极下部覆盖阳极铝电极接触层；沟槽阴极上部外侧覆盖阴极铝电极接触层；硅基体下表面除过沟槽阴极两侧未覆盖阳极铝电极接触层处覆盖下表面SiO2层；硅基体上表面除过中央阳极上部未覆盖阴极铝电极接触层处覆盖上表面SiO2层。以解决传统硅探测器无法消除死区、稳定性差的问题，同时实现电极的贯穿性，且性能优异。
主权项：1.双面刻蚀双面填充沟槽电极探测器，包括：硅基体5，其特征在于，硅基体5形状为立方体；硅基体5中心沿着竖直方向两侧设置中央阳极2；硅基体5两侧设有沟槽阴极4；相邻的硅基体5共享相同的沟槽阴极4；中央阳极2下部覆盖阳极铝电极接触层7；沟槽阴极4上部外侧覆盖阴极铝电极接触层3；硅基体5下表面除过沟槽阴极4两侧未覆盖阳极铝电极接触层7处覆盖下表面SiO2层6；硅基体5上表面除过中央阳极2上部未覆盖阴极铝电极接触层3处覆盖上表面SiO2层1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 鲁东大学 双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器
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