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申请/专利权人：艾恩(山东)半导体科技有限公司
摘要：本申请涉及半导体离子注入控制技术领域，具体为一种基于图形的晶圆离子注入控制方法和系统；为解决现有晶圆离子注入过程中方法工艺复杂，成本高和灵活性差的问题，本申请首先根据离子剂量注入信息以及晶圆尺寸绘制图形，生成离子剂量注入图形；然后，从离子剂量注入图形中提取一维信号数据，得到离子注入路径信号；最后，根据离子注入路径信号，控制晶圆竖直作垂直方向运动时，在固定高度上通过离子束水平扫描晶圆将离子覆盖到晶圆上，精确控制离子注入剂量，保证离子注入的均匀性；该方法运用在芯片制作领域中，成本低，可操作性强，灵活性好，在提高芯片的良品率的基础上，能够提高生产效率。
主权项：1.一种基于图形的晶圆离子注入控制方法，其特征在于，包括如下操作：S1、基于离子剂量注入信息和晶圆尺寸绘制图形，得到离子剂量注入图形；所述离子剂量注入图形中，横、纵轴坐标用于定位晶圆位置，竖轴坐标用于限定离子剂量；S2、根据离子剂量注入图形中的离子剂量分布，确定离子注入起点和终点；基于离子注入起点和终点的连线方向，确定切割方向；根据切割方向和离子束扫描面积，将离子剂量注入图形分割成若干个注入区域图，并分别获取若干个注入区域图的剖面离子剂量变化图；将若干个剖面离子剂量变化图分别转为一维信号数据后，进行拼接，得到离子注入路径信号；S3、根据离子注入路径信号，晶圆机械运动装置控制晶圆竖直作垂直方向运动时，电扫描离子注入装置在固定高度上通过离子束水平扫描晶圆将离子覆盖到晶圆上，实现晶圆上的离子注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾恩(山东)半导体科技有限公司 一种基于图形的晶圆离子注入控制方法和系统
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