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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明实施例涉及晶片级测试方法和系统。本公开提供用于测试半导体装置的方法和系统。所述方法包含以下操作。提供上面形成有IC的晶片。通过使所述IC的电压在第一周期期间升高到第一电压电平来为所述IC供能。将应力信号施加到所述IC。在第一周期之后的第二周期期间，所述应力信号包含多个序列。所述序列中的每一者具有斜升阶段和斜降阶段。所述应力信号致使所述IC的所述电压在第二电压电平与第三电压电平之间变动。在施加所述应力信号之后，确定所述IC是否符合测试准则。
主权项：1.一种用于测试半导体装置的方法，其包括：提供上面形成有集成电路IC的晶片；通过使所述IC的电压在第一周期期间升高到第一电压电平来为所述IC供能；向所述IC施加在所述第一周期之后的第二周期期间包含多个序列的应力信号，所述序列中的每一者具有斜升阶段和斜降阶段，其中所述应力信号致使所述IC的所述电压在第二电压电平与第三电压电平之间变动；以及在施加所述应力信号之后，确定所述IC是否符合测试准则，其中所述第二电压电平与所述第三电压电平之间的差大于所述第一电压电平与所述第二电压电平之间的差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 晶片级测试方法和系统
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