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申请/专利权人：苏州知芯传感技术有限公司

摘要：本发明涉及一种高灵敏度压力传感器，采用全新一体化设计工艺，通过刻蚀一系列操作，获得所设计高灵敏度压力传感器，能够形成应力集中区域，同时保证线性度，提高压力检测的灵敏度，其中，通过四个压阻体（4）的纵向布置，形成4个敏感电阻，构成惠世通电桥，其中边缘两个承受压应力，中间两个承受拉应力，由于四个敏感电阻完全一样布置，且初始电阻相同，则实际应用中，具有近乎完美的零点输出，大大提高了压力传感器的检查精度。

主权项：1.一种高灵敏度压力传感器，其特征在于：高灵敏度压力传感器包括盒体（1）、隔板（2）、衬底（3）和四个压阻体（4）；其中，盒体（1）的顶面设置凹陷腔体（5），隔板（2）固定设置于盒体（1）顶面凹陷腔体（5）沿口一周；衬底（3）为多边环形结构，且衬底（3）的各部位共面，衬底（3）固定设置于隔板（2）上表面，且衬底（3）多边环形结构的中间区域位置与盒体（1）顶面凹陷腔体（5）位置彼此相对应，以及盒体（1）顶面凹陷腔体（5）内部呈真空状态；四个压阻体（4）的结构彼此相同，各压阻体（4）分别均包括至少两根压阻条，各压阻条长度彼此相等；各压阻体（4）中，各压阻条彼此平行、且共面，相邻压阻条串联、构成一根曲线结构，且以平行压阻条、并过两侧最外侧压阻条之间中间位置的直线为轴，曲线结构呈轴对称；各压阻体（4）曲线结构的两端分别通过导线（6）、固定对接衬底（3）多边环形结构的内侧边，各压阻体（4）与各导线（6）位于衬底（3）多边环形结构的中间区域，且各压阻体（4）与各导线（6）固定于隔板（2）上表面；各压阻体（4）所在面彼此共面，各个压阻体（4）上平行于压阻条的对称轴所在直线相共线，且该共线过衬底（3）多边环形结构彼此相对两内侧边的中点位置，相邻压阻体（4）彼此之间呈轴对称；衬底（3）上表面设置分别与各导线（6）相连接的各个焊盘（7），通过向各个焊盘（7）供电，经导线（6）分别向各压阻体（4）供电，其中，两侧的两个压阻体（4）承受压应力，中间的两个压阻体（4）承受拉应力；衬底（3）为矩形环形结构，所述各压阻体（4）曲线结构的两端分别通过导线（6）、固定对接衬底（3）矩形环形结构彼此相对的两内侧边，各压阻体（4）分别和其两端所连导线（6）构成各个整体结构，各整体结构分别以其平行于压阻条的对称轴呈轴对称；制作高灵敏度压力传感器的方法，应用两片硅片，实现高灵敏度压力传感器的制作，包括如下步骤：步骤A.针对第一硅片（8）的上表面进行氧化处理，获得位于第一硅片（8）上表面的氧化层（9）；步骤B.针对第一硅片（8）上表面的氧化层（9）图形化，并刻蚀获得位于第一硅片（8）上表面的凹陷腔体（5）；步骤C.针对第二硅片（10）的下表面进行氧化处理，获得位于第二硅片（10）下表面的氧化层（9）；步骤D.在真空环境下，将第二硅片（10）下表面的氧化层（9）与第一硅片（8）上表面键合，由第二硅片（10）对第一硅片（8）上表面的凹陷腔体（5）实现覆盖；步骤E.由第二硅片（10）的上表面，针对第二硅片（10）进行减薄处理至预设厚度，然后针对第二硅片（10）的上表面进行氧化处理，获得位于第二硅片（10）上表面的氧化层（9）；步骤F.针对第二硅片（10）上表面的氧化层（9）图形化，并刻蚀该氧化层（9）获得分别对应于各根压阻条、各根导线（6）的注入口；步骤G.针对第二硅片（10）上表面氧化层（9）上的各个注入口，分别进行离子注入，由各个离子注入位置分别构成各根压阻条、各根导线（6）；步骤H.针对第二硅片（10）上表面图形化，针对各根压阻条、各根导线（6）的周围区域刻蚀预设厚度，且刻蚀深度高于第二硅片（10）的下底面，由此构成环绕各根压阻条、各根导线（6）的多边环形结构衬底（3）；步骤I.针对各根压阻条表面、各根导线（6）表面、以及衬底（3）多边环形结构的中间区域，淀积一层绝缘层（11）；步骤J.针对第二硅片（10）上表面氧化层图形化，并开窗，再淀积金属材料（12），构成各个焊盘（7）。

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