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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：封装件包括再分布结构；位于再分布结构的第一侧上的管芯封装件，该管芯封装件包括通过金属至金属接合和电介质至电介质接合而连接至第二管芯的第一管芯、位于第一管芯和第二管芯上方并且围绕第一管芯的介电材料以及延伸穿过介电材料并且连接至第一管芯和再分布结构的第一孔的第一通孔；位于再分布结构的第一侧上的半导体器件包括导电连接件，其中再分布结构的第二孔接触半导体器件的导电连接件；位于再分布结构上并且围绕管芯封装件和半导体器件的第一模制材料，并且延伸穿过第一模制材料以接触再分布结构的第三通孔的封装通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件和形成封装件的方法。
主权项：1.一种封装件，包括：再分布结构；管芯封装件，位于所述再分布结构的第一侧上，所述管芯封装件包括：第一管芯，通过金属至金属接合和电介质至电介质接合连接至第二管芯；第一介电材料，位于所述第一管芯和所述第二管芯上方，其中，所述第一介电材料围绕所述第一管芯；第二介电材料，在所述第一管芯和所述第二管芯上方延伸，其中所述第二介电材料位于所述第一介电材料和所述第二管芯之间；以及第一通孔，延伸穿过所述第一介电材料，其中，所述第一通孔连接至所述第一管芯，并且其中，所述再分布结构的第一孔接触所述第一通孔；半导体器件，位于所述再分布结构的所述第一侧上，所述半导体器件包括导电连接件，其中，所述再分布结构的第二孔接触所述半导体器件的所述导电连接件；第一模制材料，位于所述再分布结构上并且围绕所述管芯封装件和所述半导体器件；以及封装通孔，延伸穿过所述第一模制材料以接触所述再分布结构的第三孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体封装件、封装件及其形成方法
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