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半导体封装及其制造工艺 

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

摘要:本发明提供一种封装制造工艺及半导体封装。提供具有晶体结构的中介层。将第一管芯及第二管芯接合在所述中介层上。将第二管芯定位成通过间隙而与第一管芯间隔开,所述间隙具有延伸方向垂直于间隙的最短距离的间隙延伸方向,且所述间隙延伸方向不平行于中介层的晶体结构的结晶取向。在中介层之上形成覆盖第一管芯及第二管芯的模制化合物。将模制化合物及中介层切割成封装。

主权项:1.一种半导体封装的制造工艺,包括:提供具有晶体结构的中介层;将第一管芯设置在所述中介层上;将第二管芯设置在所述中介层上,并且将所述第二管芯定位成通过间隙而与所述第一管芯间隔开且界定与所述间隙的最短距离垂直的间隙延伸方向,其中所述间隙延伸方向不平行于所述中介层的所述晶体结构的结晶取向;将所述第一管芯及所述第二管芯接合到所述中介层;在所述中介层之上形成覆盖所述第一管芯及所述第二管芯的模制化合物;以及切割透所述模制化合物及所述中介层以形成封装。

全文数据:

权利要求:

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