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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种具有主动中介层的半导体元件及其制备方法。半导体元件包括：一主动中介层，包括一可编程单元；一第一存储器晶粒，位于该主动中介层上方且包括一存储单元；以及一第一逻辑晶粒，位于该主动中介层下方。该主动中介层、该第一存储器晶粒、和该第一逻辑晶粒电性耦合。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一主动中介层，包括一反保险丝，其中该反保险丝包含一第一接触与一第二接触，其中该第一接触与该第二接触用以接收施加至该反保险丝的一电流；一第一存储器晶粒，位于该主动中介层上方且包括一存储单元，其中该第一存储器晶粒不包含一存储器控制电路；一第一逻辑晶粒，位于该主动中介层下方；以及位于该第一存储器晶粒中的多个第一基板穿孔，该多个第一基板穿孔中至少一者电接触该第一存储器晶粒中的该存储单元，其中该主动中介层、该第一存储器晶粒、和该第一逻辑晶粒电性耦合，其中该主动中介层还包含该存储器控制电路，用以控制该第一存储器晶粒，该反保险丝还包含尖峰部分、栅极介电层，该栅极介电层设置在该尖峰部分上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有主动中介层的半导体元件及其制备方法
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