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申请/专利权人：新唐科技日本株式会社
摘要：半导体激光装置200具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件100，半导体激光元件100包括分离形成在基板1上的第1发光元件区域81和第2发光元件区域82。在半导体激光元件100，第1发光元件区域81和第2发光元件区域82分别具有以n型半导体层2、活性层3、p型半导体层4的顺序依次层叠的层叠结构体500。第1发光元件区域81具有被配置在n型半导体层2上的第1电极膜10a。第2发光元件区域82具有被p型半导体层4上的第2电极膜11b。第1电极膜10a第2电极膜11b电连接。
主权项：1.一种半导体激光装置，具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件，所述半导体激光元件包括分离形成在基板上的第1发光元件区域和第2发光元件区域，在所述半导体激光元件中，所述第1发光元件区域以及所述第2发光元件区域分别具有层叠结构体，在该层叠结构体中，以一导电型半导体层、活性层、以及另一导电型半导体层的顺序来层叠，所述第1发光元件区域具有被配置在所述一导电型半导体层上的第1电极膜，所述第2发光元件区域具有被配置在所述另一导电型半导体层上的第2电极膜，所述第1电极膜与所述第2电极膜电连接，所述第1发光元件区域具备：被配置在所述一导电型半导体层上的一导电型半导体层侧电极、以及被配置在所述另一导电型半导体层上的另一导电型半导体层侧电极，所述第1发光元件区域的所述另一导电型半导体层，在所述一导电型半导体层侧电极与所述另一导电型半导体层侧电极之间具有凸出部，所述另一导电型半导体层包含脊，具有从所述脊的侧面开始经由所述另一导电型半导体层的平坦部而连续地形成的绝缘膜，在所述脊上的所述绝缘膜，形成有开口部，在形成了所述开口部的位置的所述脊上，形成所述另一导电型半导体层侧电极，在所述第1发光元件区域中，所述脊的宽度方向的中心位于比所述另一导电型半导体层的宽度方向的中心距所述第1电极膜近的位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新唐科技日本株式会社 半导体激光装置以及半导体激光元件
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