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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种集成电路包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构，以及第一源极、漏极结构。第一源极、漏极结构位于第一栅极结构的相对两侧。第二晶体管包含第二半导体通道层、第二栅极结构，以及第二源极、漏极结构。第二源极、漏极结构位于第二栅极结构的相对两侧。第一半导体通道层的每一者的厚度小于第二半导体通道层的每一者的厚度，且第一半导体通道层的材料的带隙大于第二半导体通道层的材料的带隙。第一晶体管的第一源极结构电性耦接至第二晶体管的第二漏极结构。
主权项：1.一种集成电路，其特征在于，包含：一第一晶体管，包含：多个第一半导体通道层；一第一栅极结构，环绕所述多个第一半导体通道层的每一者；以及一第一源极结构和一第一漏极结构，位于该第一栅极结构的相对两侧；以及一第二晶体管，包含：多个第二半导体通道层，其中所述多个第一半导体通道层的每一者的一厚度小于所述多个第二半导体通道层的每一者的一厚度，且所述多个第一半导体通道层的一纳米尺度材料的一带隙大于所述多个第二半导体通道层的一材料的一带隙；一第二栅极结构，环绕所述多个第二半导体通道层的每一者；以及一第二源极结构和一第二漏极结构，位于该第二栅极结构的相对两侧，其中该第一晶体管的该第一源极结构电性耦接至该第二晶体管的该第二漏极结构。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路
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