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申请/专利权人：汉斯半导体(江苏)有限公司
摘要：本实用新型提供一种IGBT封装结构，包括：底板，底板顶部设置有外壳，外壳内部设置有IGBT芯片和导电板，IGBT芯片与导电板之间设置有导线，导电板顶部设置有贯穿外壳顶部的连接端；底板顶部设置有置于外壳内部的导热层，底板侧壁贯通开设有散热槽，散热槽内壁下侧设置有多个贯穿底板顶部且与导热层相接触的散热板，外壳内部填充有导热硅胶，通过使用导热硅胶将一部分热量送至外壳进行导出至外界，另外一部分热量送至导热层处，并沿着散热板直接导出至散热槽处与外界连接，从而进行及时的散热，加快散热速度，本实用新型结构合理，散热及时，散热速度快。
主权项：1.一种IGBT封装结构，包括：底板1，所述底板1顶部设置有外壳2，所述外壳2内部设置有IGBT芯片8和导电板6，所述IGBT芯片8与导电板6之间设置有导线7，所述导电板6顶部设置有贯穿外壳2顶部的连接端3；其特征在于，所述底板1顶部设置有置于所述外壳2内部的导热层9，所述底板1侧壁贯通开设有散热槽4，所述散热槽4内壁下侧设置有多个贯穿所述底板1顶部且与所述导热层9相接触的散热板5，所述外壳2内部填充有导热硅胶10。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 汉斯半导体(江苏)有限公司 一种IGBT封装结构
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