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申请/专利权人：中电晶华(天津)半导体材料有限公司
摘要：本发明提供了一种MOS用硅外延片防裂片的制备方法，本发明所述的制备方法通过控制外延炉中基座和钟罩的硅外延层累积生长厚度均不大于2000微米，避免反应腔体内组件的干扰；衬底选用22度倒角短边幅，边缘对碰撞的抵抗能力更强；控制最大升温功率为74～78KW，降温时间不小于400s后取片，缓慢升降温度，使得外延片内部积攒的热应力可以有效释放，减小晶格畸变，降低裂片的风险。本发明所述的制备方法降低了MOS用硅外延片裂片的风险，完全杜绝MOS用硅外延片裂片后外流到客户端的风险。
主权项：1.一种MOS用硅外延片防裂片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、向外延炉的反应腔体内分别通入氯化氢气体和三氯氢硅气体进行3组刻蚀包硅，通入气体之前反应腔体中基座和钟罩累积加工硅外延层的厚度均不大于2000μm；S2、通入氢气对反应腔体吹扫；S3、吹扫后用装片花篮承装衬底后进行上片；S4、将携带三氯氢硅的氢气通入反应腔体中，反应腔体的升温功率设定为74～78KW，生长温度设定为1080～1120℃，生长时间为1000～2000s，进行外延层生长；S5、外延层生长结束，反应腔体开始降温，温度降低到350℃以下，5～10min后从反应腔体内取出外延片；S6、生产完成后，对外延片进行超声震荡清洗，清洗后用显微镜观察有无裂纹和裂片，无裂纹和裂片的硅外延片即为成品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司 一种MOS用硅外延片防裂片的制备方法
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