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申请/专利权人：闽都创新实验室
摘要：本发明公开一种高功率密度的氮化镓晶体管芯片结构及其制备方法，该方法包括：对[hk0]晶向的镓酸锂厚膜进行刻蚀，形成衬底结构和至少一个立面结构；立面结构至少包括[001]晶向的立面侧壁，立面侧壁与衬底结构的衬底面相互垂直；对衬底结构及立面结构进行氮化处理，在立面侧壁形成GaN立面结构；在GaN立面结构的表面形成AlxInyGa1‑x‑yNGaN多层结构的外延层，使GaN立面结构在与外延层接触的界面处形成二维电子气传输层。本发明通过镓酸锂厚膜刻蚀及氮化工艺形成与衬底垂直的GaN立面结构，在GaN立面结构的强极性面生长外延层，在衬底的深度方向上形成二维电子气传输层，能够提升单位衬底面积对应的功率密度，减小高功率器件的芯片面积，且刻蚀难度低。
主权项：1.一种高功率密度的氮化镓晶体管芯片结构制备方法，其特征在于，包括：对[hk0]晶向的镓酸锂厚膜进行刻蚀，形成衬底结构和至少一个立面结构；其中，h和k不同时为0；所述立面结构至少包括[001]晶向的立面侧壁，所述立面侧壁与所述衬底结构的衬底面相互垂直；对所述衬底结构及所述立面结构进行氮化处理，在所述立面侧壁形成GaN立面结构；在所述GaN立面结构的表面形成外延层，所述外延层为AlxInyGa1-x-yNGaN多层结构，使所述GaN立面结构在与所述外延层接触的界面处形成二维电子气传输层；其中，0＜x≤1，且0≤y≤0.5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 高功率密度的氮化镓晶体管芯片结构及其制备方法
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